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十铨科技发布T-FORCE Z54E PCIe 5.0 SSD:搭载E28主控,速度达14.9GB/s

T-FORCE Z54E PCIe 5.0采用了PCIe 5.0 x4接口,支持NVMe 2.0标准,同时内建DRAM Cache,大幅提升写入性能。其采用了高密度3D TLC NAND闪存,结合数据安全与纠错机制,兼顾高品质与卓…

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JEDEC发布DDR5 SPD年度标准更新:速率升至9200MT/s,新增SOCAMM2编码

首先在新版本里,扩展了对DDR5-9200内存模块的支持,满足了部分高性能计算场景对更高带宽的需求;其次是新增SOCAMM2编码,增强了内存模块在复杂系统环境下的识别与兼容能力,优化下一…

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致态小翼e7 SSD上市:搭载长江存储原厂NAND闪存颗粒,售价349元起

上个月在成立五周年之际,,致态正式推出了旗下新品牌致态小翼,首批两款新品分别为采用PCIe 4.0接口的致态小翼e7和采用SATA接口的致态小翼S001,为新一代年轻用户提供实用、可靠、稳定…

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东芝在业界率先验证12盘堆叠技术,目标2027年推出下一代40TB级别HDD

这项革命性的堆叠技术运用了东芝在开发轻薄紧凑产品过程中积累的先进设计和经验,在近线硬盘中常见的标准10盘堆叠基础上增加了2片磁盘,其中关键的突破包括开发专用于堆叠结构的新型部…

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威刚表示存储市场缺货涨价“前所未见”,三大原厂停产DDR4计划没有改变

陈立白还反驳了市场上有关三大原厂计划恢复DDR4内存生产的传言,指出三大原厂都已经逐渐关闭并拆除DDR4内存生产线,而使用新的生产线制造基于旧技术的产品,至少经济层面上就不划算,…

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传英伟达已向三星下单购买HBM3E,用于Blackwell Ultra GB300系统

虽然三星暂时可以松一口气,但是还没有到完全扭转局势的地步,毕竟下一代HBM4即将到来,而主要竞争对手SK海力士已经占据了先发优势,预计供应初始阶段仍然能保持其最大供应商的位置。

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商务部发布公告:对14nm及以下逻辑及256层及以上存储芯片实施稀土出口管制

稀土是镧系元素及钪、钇共17种金属元素的统称,是新能源、半导体、航空航天、高端装备等战略产业不可或缺的关键材料。目前我国在全球稀土产业链中占据主导地位,不仅稀土储量和产量居首…

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群晖通过DSM 7.3系统更新,让2025款NAS暂时恢复支持第三方HDD

这些NAS涵盖了DiskStation Plus、Value和J系列产品,用户可以自由选择机械硬盘,不再局限于群晖认证型号。群晖表示,这一变化是“扩展存储灵活性”计划的一部分,另外正与多家存储供应商…

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美光推出新款英睿达LPCAMM2内存:LPDDR5X-8533规格,单条32/64GB容量

美光早在去年就推出了LPCAMM2内存,运行电压为1.05V,搭载了LPDDR5X颗粒,联想ThinkPad P1 Gen 7移动工作站成为了首发平台。今年美光进一步提升了性能表现,提供了32GB和64GB两种容量…

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美光恢复产品报价:DRAM及NAND闪存价格均明显上调,涨幅基本在20%以上

每年第四季度DRAM价格一般都会有所下调,但是今年不降反升。其中DDR4产品由于面临停产,平均涨幅超过了20%,DDR5产品同样涨势强劲,平均涨幅在15%至20%之间。NAND闪存产品的报价反映…

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闪迪推出官方授权SSD和microSD存储卡:适用于ROG Xbox Ally系列掌机

闪迪(Sandisk)宣布,推出经过认证的新款存储解决方案,包括WD_BLACK SN7100X NVMe SSD和SANDISK microSD存储卡,适用于ROG Xbox Ally系列掌机......

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AMD内存专利引发关注:或已被更新的MRDIMM取代,仅停留在早期阶段

最初的专利为“US12300346B2”,2023年被“US20230178121A1”所取代,这是7月公布的新文件所扩展的具体文件。换句话说,这并非一项新技术。根据介绍,这种内存能在单个模块内通过“两个或…

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美光确认与台积电展开合作:目标2027年推出HBM4E

要知道竞争对手三星和SK海力士都计划在HBM4时代开始,将基础裸片的生产转移到代工厂,以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。其中SK海力士最为积极,很早就宣布与台积电合作…

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Solidigm正式发布D7-PS1010 E1:首款支持单面直触芯片液冷技术的eSSD

Solidigm表示,冷板液冷是eSSD热优化方面的一个突破,在搭载最先进GPU的服务器中释放了巨大的价值。作为世界上第一个单面冷板液冷解决方案,可以同时对eSSD两侧提供散热,打造最有效的…

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继美光和三星之后,SK海力士也打算与客户协商调整存储器的价格

DRAM供应紧张推动了当前的价格上涨,主要原因是SK海力士、美光和三星都优先考虑将有限的产能用于生产HBM,而制造HBM需要的晶圆是传统DRAM的两到三倍。目前AI数据中心需要高性能的DRA…

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致态庆祝成立五周年:推出旗下新品牌致态小翼及两款SSD新品

据官方介绍,致态小翼秉持敢玩敢创、探索热爱的品牌精神,将“数字人生,翼启体验”作为品牌口号。品牌名字中的“翼”字,寓意新生的羽翼,象征着飞翔的起点和坚持突破的勇气。致态小翼希…

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三星计划第四季度存储器涨价:DRAM和NAND闪存分别上涨30/10%

近期不少存储器厂商都传出了涨价的消息,包括DRAM和NAND闪存产品,甚至连西部数据的机械硬盘都宣布涨价,而且还延长了产品的交货时间。三星作为全球最大的存储器制造商,跟随涨价也只…

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三星12层HBM3E历经1年半终于通过英伟达测试,寄望HBM4取得突破

目前SK海力士是英伟达主要的HBM供应商,已经提供了8层和12层堆叠的HBM3E,而且准备供应HBM4,用于英伟达下一代基于Rubin架构GPU构建的AI加速器。相比之下,与SK海力士差不多同一时期…

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英伟达尝试提高HBM4规格:速度提升至10Gb/s,初期SK海力士仍是最大供应商

在今年6月的ADVANCING AI 2025大会上,AMD发布了下一代AI GPU的预告,表示将打造代号为“Helios”的AI机架系统,其中将搭载Instinct MI450计算卡。AMD对下一代AI产品阵容寄予厚望,…

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DRAM和NAND闪存价格飙升:2025Q4合同价预估上涨15-20%

企业级市场的巨大需求很容易对消费端产品的价格产生连锁反应,NAND闪存制造商为了满足企业订单,将占用更多的产能,而DRAM制造商也同样如此,必然会优先考虑制造HBM芯片。

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